理查森RFPD袜离散GaN射频功率晶体管

理查森RFPD宣布的可用性和完整的设计支持功能一个新的离散GaN SiC HEMT TriQuint / Qorvo。

55 w(P3dB)T2G4005528-FS运作从直流到3.5 GHz和构造TriQuint的TQGaN25生产工艺,以先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和降低热管理成本。

新设备是适合军用和民用雷达、专业和军事无线电通信,测试仪器,宽带和窄带放大器,干扰机的应用程序。

根据TriQuint / Qorvo,额外的T2G4005528-FS的关键特性包括:

输出功率(P3dB):在3.3 GHz 64 w

线性增益:在3.3 GHz 16分贝

工作电压:28 v

低的热阻包

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